大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于半導(dǎo)體機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造的問題，于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹半導(dǎo)體機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造的解答，讓我們一起看看吧。
半導(dǎo)體九大設(shè)備？
一、氧化/擴(kuò)散爐(高溫爐)
芯片的制造流程中，硅片表面通過氧化的方式生長一層氧化層，通過在氧化層上刻印圖形和刻蝕，達(dá)到對(duì)硅襯底進(jìn)行擴(kuò)散摻雜，激活硅片的半導(dǎo)體屬性，從而形成有效的PN結(jié)。
二、光刻設(shè)備
光刻的本質(zhì)是把電路結(jié)構(gòu)圖***到硅片上的光刻膠上，方便之后進(jìn)行刻蝕和離子注入。從集成電路誕生之初，光刻就被認(rèn)為是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。
三、涂膠顯影設(shè)備
涂膠顯影設(shè)備是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機(jī)、噴膠機(jī)和顯影機(jī)。該設(shè)備不僅直接影響光刻工序細(xì)微曝光圖案的形成，對(duì)后續(xù)蝕刻和離子注入等工藝中圖形轉(zhuǎn)移的結(jié)果也有著深刻的影響。
四、刻蝕設(shè)備
刻蝕指將硅片上未被光刻膠掩蔽的部分通過選擇性去掉，從而將預(yù)先定義的圖形轉(zhuǎn)移到硅片的材料層上的步驟。
五、離子注入設(shè)備
一般而言，本征硅(即原始不含雜質(zhì)的硅單晶)導(dǎo)電性能很差，只有當(dāng)硅中加入少量雜質(zhì)，使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生改變時(shí)，硅才成為真正有用的半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體器件物理的前置課程有哪些？
學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理（Semiconductor Device Physics）通常需要一些前置課程，這些課程包括：
1. 基礎(chǔ)物理：包括力學(xué)、熱力學(xué)、光學(xué)、電磁學(xué)等基礎(chǔ)知識(shí)。
2. 基礎(chǔ)化學(xué)：包括無機(jī)化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、物理化學(xué)等基礎(chǔ)知識(shí)。
3. 數(shù)學(xué)：包括微積分、線性代數(shù)、概率論與數(shù)理統(tǒng)計(jì)等基礎(chǔ)知識(shí)。
4. 電子學(xué)：包括電路分析、模擬電路、數(shù)字電路等基礎(chǔ)知識(shí)。
半導(dǎo)體物理是什么？
半導(dǎo)體物理，研究半導(dǎo)體
原子狀態(tài)和電子狀態(tài)以及
各種半導(dǎo)體器件內(nèi)部電子
過程的學(xué)科。是固體物理
學(xué)的一個(gè)分支。研究半導(dǎo)
體中的原子狀態(tài)是以晶體
結(jié)構(gòu)學(xué)和點(diǎn)陣動(dòng)力學(xué)為基
礎(chǔ)，主要研究半導(dǎo)體的晶
體結(jié)構(gòu)、晶體生長，以及
晶體中的雜質(zhì)和各種類型的缺陷。
到此，以上就是小編對(duì)于半導(dǎo)體機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于半導(dǎo)體機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造的3點(diǎn)解答對(duì)大家有用。
