大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于時(shí)快時(shí)慢的機(jī)械結(jié)構(gòu)的問題，于是小編就整理了2個(gè)相關(guān)介紹時(shí)快時(shí)慢的機(jī)械結(jié)構(gòu)的解答，讓我們一起看看吧。
我的機(jī)械表越走越慢，時(shí)間不準(zhǔn)，是不是壞了？
正常。這主要是由于機(jī)械表中的振蕩器的頻率低造成的。 鐘表的振蕩器的頻率越高，振蕩越穩(wěn)定，抗干擾能力越強(qiáng)，手表就越準(zhǔn)確。
石英電子表的振蕩頻率為32768Hz，要比普通快擺機(jī)械表每秒3Hz的頻率高1萬倍，因此石英電子表要比機(jī)械手表準(zhǔn)確得多。
另外機(jī)械手表由于本身結(jié)構(gòu)問題，受地球引力作用，水平位置和豎直位置的偏移會產(chǎn)生位差，發(fā)條從上緊到放松，力矩不平衡，在加之受外界溫度、磁場、震動(dòng)等影響，導(dǎo)致機(jī)械表有可能會走不準(zhǔn)。 機(jī)械表通?？煞譃橄铝袃煞N：手動(dòng)上鏈及自動(dòng)上鏈?zhǔn)直韮煞N。
這兩款機(jī)械的動(dòng)力來源皆是靠機(jī)芯內(nèi)的發(fā)條為動(dòng)力，帶動(dòng)齒輪進(jìn)而推動(dòng)表針，只是動(dòng)力來源的方式有異。
手動(dòng)上鏈的機(jī)械表是依靠手動(dòng)擰動(dòng)發(fā)條作動(dòng)力，機(jī)芯的厚度較一般自動(dòng)上發(fā)條的表薄一些，相對來說手表的重量就輕。
而自動(dòng)上鏈的手表，是利用機(jī)芯的自動(dòng)旋轉(zhuǎn)盤左右擺動(dòng)產(chǎn)生動(dòng)力來驅(qū)動(dòng)發(fā)條的，但相對來講手動(dòng)上鏈?zhǔn)直淼暮穸纫茸詣?dòng)上鏈的小一些。
計(jì)算機(jī)的“dram”和“sram”分別是什么意思，有什么區(qū)別？
按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。靜態(tài)存儲單元（SRAM） ●存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成●優(yōu)點(diǎn)：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache●缺點(diǎn)：元件數(shù)多、集成度低、運(yùn)行功耗大●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)動(dòng)態(tài)存儲單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現(xiàn)在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間必須小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）?！駜?yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)高于SRAM、功耗低，價(jià)格也低●缺點(diǎn)：因需刷新而使***電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，SRAM常用于作主存儲器。盡管如此，由于DRAM[1]存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
到此，以上就是小編對于時(shí)快時(shí)慢的機(jī)械結(jié)構(gòu)的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于時(shí)快時(shí)慢的機(jī)械結(jié)構(gòu)的2點(diǎn)解答對大家有用。
